Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6610TR1
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6610
IRF6610TR1 Hakkında
IRF6610TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric SQ paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6.8mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 2.55V kapı eşik gerilimi ile TTL/CMOS sinyalleriyle uyumludur. DirectFET teknolojisi kompakt tasarım ve geliştirilmiş ısıl performans sunarak yüksek entegrasyonlu güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok