Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6609TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6609
IRF6609TR1PBF Hakkında
IRF6609TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MT paketlemesi sayesinde düşük termal direnç ve yüksek güç dağıtım kapasitesi sağlar. Rds(on) değeri 2mΩ (10V, 31A) olup, anahtarlama ve doğrultma devrelerinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Mobil cihazlar, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 31A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok