Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6609TR1
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6609
IRF6609TR1 Hakkında
IRF6609TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MT paketindeki bu transistör, 2mΩ on-resistance değeri sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponentin kapı eşik gerilimi 2.45V olup, ±20V kapı gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 31A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok