Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6608
IRF6608TR1 Hakkında
IRF6608TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 13A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 9mOhm on-direnci ile verimli güç anahtarlaması sağlar. DirectFET™ ST paket teknolojisi kullanılarak yüksek yoğunluklu montaj ve geliştirilmiş termal yönetim sağlanır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±12V gate voltajı sınırlaması ile güvenli çalışma sunar ve 24nC gate charge değeri hızlı komutasyon özelliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2120 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok