Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6607
IRF6607 Hakkında
IRF6607, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 27A sürekli akım yeteneği sunar. DirectFET MT paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (3.3mΩ @ 25A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 75nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen IRF6607, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetim uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmıştır. Bileşen, yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygundur. Not: Bu parça üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 94A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok