Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6604TR1
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6604
IRF6604TR1 Hakkında
IRF6604TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 12A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric MQ paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (11.5mΩ @ 12A, 7V) ve hızlı anahtarlama özellikleri nedeniyle DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer alır. ±12V maksimum gate voltajı ile uyumlu tasarlanmıştır. Çalışma sıcaklığı aralığı -40°C ile 150°C arasındadır. Ürün statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2270 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 12A, 7V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok