Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6603TR1
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6603
IRF6603TR1 Hakkında
IRF6603TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile elektronik anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric MT paketinde sunulan bu bileşen, düşük 3.4mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Anahtarlama modülü tasarımları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol üniteleri ve güç yönetimi sistemlerinde uygulanabilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, devre tasarımlarında yeni alternatiflerin kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 92A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6590 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok