Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6602
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6602
IRF6602 Hakkında
IRF6602, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ MQ paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 13mΩ maksimum on-direnç değeri (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 18nC olup hızlı anahtarlama operasyonlarına imkan tanır. Güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtarlama güç kaynakları tasarımında kullanılır. Maximum 2.3W (Ta) / 42W (Tc) güç tüketimi ile termal yönetim kolaylığı sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.3V eşik gerilimi ile entegre devre uyumlu sürücü işaretleri alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1420 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok