Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6601
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6601
IRF6601 Hakkında
IRF6601, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ MT paket teknolojisi kullanılarak düşük RDS(on) değeri (3.8mΩ @ 26A, 10V) sağlanmıştır. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir. Güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Düşük kapı yükü (45nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. DirectFET paket tasarımı yüksek güç yoğunluğu gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok