Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF654BFP001
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF654
IRF654BFP001 Hakkında
IRF654BFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 156W maksimum güç dissipasyonu gösterebilir. 10V gate drive voltajında optimal performans gösterir ve 123nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok