Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF644B-FP001

IRF644B - DISCRETE MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF644B

IRF644B-FP001 Hakkında

IRF644B-FP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 14A sürekli dren akımı kapasitesine ve 280mΩ @ 7A, 10V Rds(on) değerine sahiptir. Gate charge 60nC @ 10V olarak belirtilmiştir. TO-220-3 paket tipi ile şekillendirilen komponent, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında 139W maksimum güç dağılımı sağlar. Through-hole montaj tipi ile standart PCB'lere kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok