Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF644

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF644

IRF644 Hakkında

IRF644, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 250V Drain-Source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. 280mΩ maksimum kapalı durum direnci (RDS On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve 125W maksimum güç dağılımı gerçekleştirebilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, anahtarlama devrelerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimiyle aktive edilir. Maksimum ±20V gate gerilimi toleransı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok