Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF643

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF643

IRF643 Hakkında

IRF643, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 220mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 64nC gate charge karakteristikleri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1275 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok