Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF642R
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF642
IRF642R Hakkında
IRF642R, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'i olup, 200V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 220mΩ maksimum Rds(on) değeriyle çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir bir şekilde işletilmeye uygun olan IRF642R, 64nC gate charge ve 1275pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde orta güçlü uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok