Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF640STRR

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF640

IRF640STRR Hakkında

IRF640STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 180mOhm RDS(on) değerine sahiptir. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilen bir transistördür. 70nC gate charge ve 1300pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok