Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF640PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF640

IRF640PBF Hakkında

IRF640PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drenaj-kaynak gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mOhm on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 125W güç disipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok