Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF640NSTRRPBF
IRF640 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF640
IRF640NSTRRPBF Hakkında
IRF640NSTRRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel HEXFET Power MOSFET'dir. 200V drenaj-kaynak gerilimi, 18A sürekli drenaj akımı ve 150mΩ açık durum direnci (RDS on) ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç kaynağı tasarımları, DC-DC konvertörleri ve LED sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 150W güç tüketebilir. 10V kaynaklanma gerilimi ile düşük kapı yükü (67nC) sayesinde ekonomik sürücü devreler tasarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok