Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF640NS
IRF640NSTRLPBF Hakkında
IRF640NSTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 200V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, D²Pak (TO-263) paketlemesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, inverterlerde, güç kaynağı tasarımlarında ve çeşitli endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, 150W maksimum güç kayıpı yönetimi ve düşük gate charge değeri (67nC @ 10V) hızlı ve güvenilir komütasyon özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok