Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF640NL
IRF640NLPBF Hakkında
IRF640NLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 18A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı ile standart PCB işleme yöntemlerine uyumludur. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok