Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF640NL

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRF640NL

IRF640NL Hakkında

IRF640NL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 18A sürekli drain akımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. TO-262 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 150W güç dağılması kapasitesi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate voltajı ±20V aralığında kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok