Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF640L
MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF640L
IRF640L Hakkında
IRF640L, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında tercih edilir. 10V gate geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Threshold gerilimi 4V olup, 70nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok