Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF640FP

MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRF640

IRF640FP Hakkında

IRF640FP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 18A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. 180mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar ve maksimum 40W güç dağıtabilir. ±20V kapı-kaynak voltaj aralığında çalışır. Obsolete durumundaki bu bileşen arşiv projeleri ve bakım çalışmalarında referans olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok