Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF640,127
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF640
IRF640,127 Hakkında
IRF640,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverter uygulamalarında yer alır. 180mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W güç yayabilir. Gate charge değeri 63nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok