Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF640

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF640

IRF640 Hakkında

IRF640, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 18A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 10V kapı voltajında 180mOhm on-direnci ve 72nC kapı yükü özellikleriyle verimli anahtarlama sağlar. Maksimum 125W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün üreticisi tarafından kullanım dışı (obsolete) ilan edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok