Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF634B-FP001
DISCRETE MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF634B
IRF634B-FP001 Hakkında
IRF634B-FP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılan ayrık bir transistör bileşenidir. 250V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine sahip olan bu transistör, 8.1A sürekli drain akımı ile çalışabilir ve maksimum 74W güç tüketebilir. 10V gate geriliminde 450mOhm on-direnci (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan IRF634B-FP001, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıkları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.05A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok