Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF631

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF631

IRF631 Hakkında

IRF631, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan IRF631, 400mΩ maksimum on-state direnci ve 75W maksimum güç dağılımı özellikleriyle endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve anahtarlamalı mod güç kaynakları tasarımlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, yüksek sıcaklık stabilitesi gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok