Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630
IRF630STRRPBF Hakkında
IRF630STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile DC-DC konvertörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 400mOhm maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve düşük gate kapasitansı (800pF) sayesinde hızlı açılıp kapanma karakteristiğine sahiptir. Güç elektronikleri tasarımlarında yaygın olarak tercih edilen bu MOSFET, hassas kontrolün gerekli olduğu uygulamalarda güvenilir bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok