Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630STRR

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630STRR Hakkında

IRF630STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V kapı sürme voltajında 400mΩ RDS(on) değerine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve power management devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 43nC kapı yükü ve 800pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TTL/CMOS uyumlu gate voltaj seviyeleri ile lojik devrelerle doğrudan entegrasyon sağlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok