Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630STRL

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630STRL Hakkında

IRF630STRL, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 10V gate sürüş geriliminde 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 43nC gate charge özellikleriyle DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) durumda olup, yerine alternatif MOSFET'ler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok