Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630SPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630SPBF Hakkında

IRF630SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source geriliminde 9A sürekli drain akımı sağlayabilir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı kasa ile tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 400mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. Güç elektronikleri, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan endüstriyel bir bileşendir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 3W (Ta) veya 74W (Tc) güç tüketebilir. 43nC gate yükü ve 800pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok