Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630S
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630S
IRF630S Hakkında
IRF630S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve güç amplifikatörlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş geriliminde 400mOhm maksimum on-state direnci ve 43nC gate yükü ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma garantisi sunar. Not: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok