Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630PBF Hakkında

IRF630PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 9A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketindeki bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 10V gate sürüm voltajında 400mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. 74W maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok