Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630NSTRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630
IRF630NSTRRPBF Hakkında
IRF630NSTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim dayanımı ve 9.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 300mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Fotokopi makineleri, endüstriyel kontrol sistemleri, UPS cihazları ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama işlemlerinde tercih edilmektedir. Tabloda gösterilen tüm değerler üretici datasheet'ine dayanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok