Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630NS
IRF630NSPBF Hakkında
IRF630NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 9.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında, ağır endüstriyel ve ticari elektronik devrelerde, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 35nC gate charge ve 575pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok