Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630
IRF630NS Hakkında
IRF630NS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 9.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 82W maksimum güç dağılımı ile motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate sürücü gerilimiyle 300mOhm (Rds On) değerine sahip olan bileşen, verimli anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok