Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630NPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630NPBF Hakkında

IRF630NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 9.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 300mOhm on-resistance değeri ile verimliliği arttırır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolörleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 82W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok