Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630NL
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630NL
IRF630NL Hakkında
IRF630NL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 300mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. İleri-geri dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 82W maksimum güç tüketebilir. Gate charge özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok