Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630FP

MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRF630

IRF630FP Hakkında

IRF630FP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, motör kontrolü, güç kaynakları, anahtarlamalı regülatörler ve endüstriyel denetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 30W güç tüketimi ile orta güç seviyesi uygulamaları destekler. 400mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük kontak kaybı sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok