Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630B_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630B
IRF630B_FP001 Hakkında
IRF630B_FP001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 400mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp işletmeyi sağlar. 72W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile motor kontrol, anahtarlama kaynakları, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. (Not: Bu ürün yaşam döngüsünün sonunda (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok