Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF630A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF630A

IRF630A Hakkında

IRF630A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürücü geriliminde 400mΩ on-state direnci ve 29nC kapı yükü ile karakterize edilir. TO-220-3 paket tipi sayesinde yüksek ısı dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, anahtarmalı güç kaynakları, inverter devreleri ve diğer güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok