Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630
IRF630 Hakkında
IRF630, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 400mΩ on-state direnci ve 43nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun hale getirilmiştir. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok