Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF630
IRF630 Hakkında
IRF630, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli akım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 400mΩ maksimum gate-source direnci ile güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve AC/DC konverterler gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 75W maksimum güç tüketimi özelliği, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir bir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok