Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF626
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF626
IRF626 Hakkında
IRF626, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 275V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 1.1Ω maksimum on-direnci (10V, 1.4A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir. 40W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan cihaz, 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 275 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok