Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF624SPBF
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF624
IRF624SPBF Hakkında
IRF624SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 250V drain-source voltajı ve 4.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 10V gate voltajında 1.1Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRF624SPBF, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 14nC gate charge ve 260pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. 3.1W Ta ve 50W Tc maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok