Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6218PBF

IRF6218 - 20V-250V P-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF6218

IRF6218PBF Hakkında

IRF6218PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 10V gate sürüş geriliminde 150mΩ on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +175°C arasında çalışan IRF6218, anahtarlamalar, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 250W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanan bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanı bulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok