Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6216PBF-IR

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF6216

IRF6216PBF-IR Hakkında

IRF6216PBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltaj desteği ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 240mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devreler, motor kontrol ve kaynak uygulamalarında tercih edilir. 2.5W maksimum güç hızındırma desteği ile kompakt tasarımlara uyarlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok