Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6216PBF

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF6216

IRF6216PBF Hakkında

IRF6216PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketi ile tasarlanan IRF6216PBF, düşük Rds(on) değeri (240mOhm @ 10V) sayesinde güç kayıplarını minimalize eder. ±20V maksimum gate voltajı ve 49nC gate yükü ile kontrol devreleri tarafından kolayca yönetilir. Tüketici elektronikleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok