Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6215STRR
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6215
IRF6215STRR Hakkında
IRF6215STRR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 290mOhm on-direnç (RDS On) değeri ile verimli çalışma sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 66nC gate charge ve 860pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 3.8W (ambient) / 110W (junction) güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok