Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6215S

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF6215S

IRF6215S Hakkında

IRF6215S, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve invertör tasarımlarında kullanılır. 290mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 3.8W (Ta) güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate charge 66nC olup ±20V Vgs aralığında çalışır. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok