Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF621
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF621
IRF621 Hakkında
IRF621, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 150V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 800mOhm maksimum RDS(On) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 40W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, DC motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yer bulur. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışan TO-220-3 paketli bileşen, 15nC gate charge ve 450pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok